El grafeno sigue dando que hablar

Por José Ramón Isasi, del Departamento de Química de la Universidad de Navarra.

 

El Nobel de Física de 2010 sigue dando que hablar. La nanofamilia del carbono (galardonada también con el Nobel de Química en 1996 por el fullereno) ya ha sido objeto de unos cuantos comentarios en las páginas de A Ciencia Cierta. Ahora, un grupo de investigadores de IBM acaba de publicar en Nature un nuevo procedimiento para fabricar transistores de grafeno. A veces es difícil predecir si una investigación básica puntera será aplicable a escala industrial o si nunca llegará a dar ese paso. Teniendo en cuenta la procedencia de los autores puede pensarse que la cosa promete.

Los galardonados con el Nobel del pasado año, dos investigadores rusos afincados en el Reino Unido, habían obtenido las finísimas láminas de grafeno (del espesor de un átomo) utilizando grafito convencional (“minas de lapicero”) y cinta adhesiva para, con un poco de suerte y bastante paciencia, conseguir despegar capas individuales después de muchos intentos. En esta nueva investigación, el método empleado es uno bien conocido en Química: la deposición del vapor. La novedad es que se usa un sustrato de diamante (otro miembro de la familia del carbono) en vez de sílice. El nuevo material ha permitido fabricar transistores de grafeno que superan a los de silicio para aplicaciones en la zona de altas frecuencias, con un excelente funcionamiento a bajísimas temperaturas, lo que les convierte en excelentes candidatos para aplicaciones espaciales (y especiales).